Технические разделы





Анализ смоделированной схемы.

Для проверки схемы подсоединим на выход данного устройства осциллограф:

микрофон транзистор усилитель

Рис. 3

И проверим наличие питающего напряжения (3 В)

Рис. 4

Далее на вход подключим генератор синусоидального сигнала и проверим схему:

Рис. 5

На выходе будем иметь:

Рис. 6

Заключение

В данном курсовом проекте рассматривалось техническое устройство для скрытого прослушивания помещений, что актуально в настоящее время. Чувствительный микрофон с усилителем мощности на малошумящих транзисторах имеет маленькие габариты, что позволяет его скрыть в помещении, в котором необходимо прослушать информацию. Данный микрофон способен усилить колебания звуковой частоты до 85 дб, а максимальный уровень выходного сигнала составляет 125 дб.

С помощью программного продукта NI Multisim 11.0 мной было собранно данное устройство и рассмотрены его характеристики. В ходе выполнения курсового проекта в данном устройстве были заменены отечественные транзисторы (тип КТ) на их зарубежные аналоги (тип ВС), ввиду отсутствия первых в программе. Данная замена не повлияла на работу устройства. Конструкторским плюсом данного устройства, является не большое питающее напряжение, оно составляет 3 вольта, что значительно уменьшает габариты данного устройства, по сравнению с подобными аналогами, для которых необходимо 9 вольт питающего напряжения. При более точной настройке схемы реостатом, можно добиться максимального усиления входного сигнала.

Для проверки работоспособности устройства использовался генератор однотонных сигналов (синусоидальный сигнал). Как было видно в последнем пункте основной части курсового проекта, данное устройство работает правильно. При более точной настройке схемы реостатом, можно добиться максимального усиления входного сигнала.

Еще статьи по технике и технологиям

Статический анализ оптимального алгоритма обнаружения
цифровой система радиолокационный квантование В настоящее время значительного распространения приобрело широкое использование цифровых методов обработки и передачи информации. Перспективы развития цифровой техники связаны с широким внедр ...

Расчет электрофизических характеристик структуры метал-диэлектрик-полупроводник
Основной задачей курсовой работы по дисциплине «Физика полупроводников и диэлектриков» является выяснение физической сущности явлений и процессов, лежащих в основе работы различных полупроводниковых структур и дискретных полупроводнико ...

© 2012-2021 | www.bjhdh.site