Технические разделы





Описание физических процессов в заданной полупроводниковой структуре

Элементы полупроводниковой интегральной микросхемы - диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы - представляют собой совокупность различных полупроводниковых структур.

К таким полупроводниковым структурам относятся: контакты металл-полупроводник, электронно-дырочные переходы, структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП).

На электрофизических свойствах различных контактов основаны принципы действия подавляющего большинства ИМС.

На границе раздела между двумя различными по типу электропроводности полупроводниками или между полупроводником и металлом возникают потенциальные барьеры, что является следствием перераспределения концентрации подвижных носителей заряда между контактирующими материалами. Электрические свойства граничного слоя зависят как от значения, так и от полярности приложенного внешнего напряжения. Если граничные слои в полупроводниковых структурах обладают нелинейными вольт-амперными характеристиками, т.е. если их электрическое сопротивление при одной полярности напряжения больше, чем при другой, то такие слои называются выпрямляющими переходами.

Процессы, протекающие на поверхности полупроводника, оказывают существенное влияние на электрические параметры элементов интегральных схем. Наличие локальных поверхностных энергетических уровней вызывает образование поверхностного электрического заряда. При этом в приповерхностной области полупроводника появляется равный по значению и противоположный по знаку индуцированный заряд, т.е. появляются обогащенные, обедненные или инверсионные приповерхностные слои. Возникновением инверсионных слоев в значительной степени определяется эффект поверхностной проводимости и образование так называемых каналов.

Каналы могут формироваться и под действием поперечного внешнего электрического поля. Модулируя величину электропроводности канала, управляют величиной тока в полевых транзисторах на основе МДП-структур.

Еще статьи по технике и технологиям

Создание технологичной геоинформационной системы
Интегральная микросхема (ИМС) - это конструктивно законченное изделие, выполняющее определенные функции преобразования информации и содержащая совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в ...

Аналоговые интегральные схемы
Электроника проникает во все новые области науки и техники. Она давно уже вышла за рамки техники связи и обработки данных и в настоящее время применяется в измерительной аппаратуре, системах управления и регулирования. Электроник ...

© 2012-2021 | www.bjhdh.site