Технические разделы





Расчет электрофизических характеристик структуры метал-диэлектрик-полупроводник

Основной задачей курсовой работы по дисциплине «Физика полупроводников и диэлектриков» является выяснение физической сущности явлений и процессов, лежащих в основе работы различных полупроводниковых структур и дискретных полупроводниковых приборов, а также элементов интегральных микросхем (ИМС); приобретение практических навыков расчета электрофизических характеристик полупроводниковых структур; ознакомление со значениями параметров полупроводниковых материалов и их размерностями и развитие навыков самостоятельной работы с научно-технической литературой.

Тема данной курсовой работы является актуальной, так как современный научно-технический прогресс неразрывно связан с расширением масштабов применения радиотехнических систем и систем телекоммуникаций. Составной частью этих систем является радиоэлектронная аппаратура, содержащая огромное количество радиокомпонентов. Полупроводниковая электроника интенсивно развивалась уже с начала 30-х годов. Ученые исследовали физические процессы в полупроводниках и влияние примесей на эти процессы. Была разработана квантовая теория полупроводников, введено понятие подвижных свободных мест кристаллической решетки полупроводника, получивших название дырок, создана теория генерации пар «электрон-дырка». В 60-х годах были созданы первые интегральные схемы. Интегральные микросхемы предназначены для реализации подавляющего большинства аппаратурных функций. Их элементы выполнены и объединены внутри или на поверхности общей подложки, электрически соединены между собой и заключены в единый корпус. Все или часть элементов создаются в едином технологическом процессе с использованием групповых методов изготовления. А в конце 70-х годов появились сверхбольшие интегральные схемы (СБИС), содержащие от 104 до 106 элементов на кристалле при размере элементов от 1 до 3 мкм [3].

Развитие радиотехники продолжается и по сегодняшний день, и будет продолжать совершенствоваться в будущем.

Еще статьи по технике и технологиям

Разработка устройства для контроля неэлектрической величины
1. Измерительные цепи с генераторными преобразователями Генераторные преобразователи сами генерируют выходную ЭДС под действием измеряемой неэлектрической величины Эта ЭДС может измеряться непосредственно измерительным механизмо ...

Разработка цифрового тахометра на базе микроконтроллер ATtiny2313
Современный этап развития научно-технического прогресса характеризуется широким применением электроники и микроэлектроники во всех сферах жизни и деятельности человека. Важную роль при этом сыграло появление и быстрое соверше ...

© 2012-2021 | www.bjhdh.site